Химическая энциклопедия
"СВИНЦА ХАЛЬКОГЕНИДЫ"

СВИНЦА ХАЛЬКОГЕНИДЫ . Сульфид PbS, селевид PbSe и теллурид РbТе-серебристо-серые кристаллы ку-бич. сингонии (типа NaCl, z = 4, пространств. группа Fт3т); при давлении выше 2,4-4,2 МПа устойчива ромбич. модификация (типа SnS, пространств. группа Pcmn). Осн. св-ва С. х. приведены в таблице.

В парах С. х. обнаружены РbХ (X = S, Se, Те), Рb₂Х₂, Рb, Х₂, РbХ₂. Ур-ния температурной зависимости давления пара в условиях конгруэнтного испарения: lgP_PbS (атм) = = -11597/T+ 6,61; lgp_PbSe (атм) = -11032/T+ 7,204; lgp_PbTe (атм) = — 11180/Т+ 7,45. С.х. не раств. в воде, разлагаются азотной и серной к-тами.

С.х. встречаются в природе в виде минералов галенита (свинцовый блеск) PbS, клаусталита PbSe, алтаита РbТе.

Получают С.х. взаимод. расплава или пара Рb с халъкоге-ном, осаждением из водного р-ра Рb(II) серо- или селено-водородом, р-цией свинецорг. соед. с халькогенорг. соединениями. Монокристаллы выращивают осаждением из газовой фазы, из расплава, методом Бриджмена-Стокбаргера или зонной плавкой (под давлением пара халькогена).

Участки диаграмм состояния РbТе, PbSe и PbS; x_i-концентрации избыточных Рb или халькогена в РbТе, PbSe и PbS, молярные доли.

Состав С.х. в зависимости от условий получения отклоняется от стехиометрического в сторону избытка халькогена (от 0,4995 до 0,5005 молярных долей Рb или до ~1·10^-3 молярных долей избыточного компонента, см. рис.). С изменением состава С.х. наблюдается изменение типа осн. носителей заряда, поэтому С.х. могут быть полупроводниками п- или p-гипа.

С.х. и их твердые р-ры-полупроводниковые материалы в электронике и радиотехнике, напр.: PbSe-материалы для фоторезисторов, фотоприемников и излучателей в ИК диапазоне, активная среда в инжекц. лазерах; РbТе-фотопроводник при низких т-рах, материал для ИК оптики.

Лит.: Абрикосов Н. X., Шелимова Л. Е., Полупроводниковые материалы на основе соединений А^IVВ^VI, М., 1975; Новоселова А. В., Пашин-кин А. С., Давление пара летучих халькогенидов металлов, М., 1978, с. 56-73; Физико-химические свойства полупроводниковых веществ, М., 1979, с. 86-93; Зломанов В. П., Новоселова А. В., Р-Т-х диаграммы состояния системы металл-халькоген, М., 1987, с. 129-39, 183-91.

Я. Л. Хариф, П. В. Ковтуненко.