Химическая энциклопедия
"ИНДИЯ ОКСИДЫ"

ИНДИЯ ОКСИДЫ . Сесквиоксид In₂О₃ - светло-желтые или зеленовато-желтые кристаллы с кубич. решеткой (а = 1,01194 нм, z = 16, пространств. группа Ia3): плотн. 7,18 г/см³. Под давлением выше 6,5 ГПа при 300-400 °С образуется модификация с гексаген. решеткой типа корунда, устойчивая при обычном давлении (а = 0,5487 нм, с = 1,4510 нм, z = 6, пространств. группа R3с); плотн. 7,3 г/см³. Т. пл. 1910°С; выше 1200°С начинает возгоняться с диссоциацией на In₂O и O₂; т. кип. - 3300 °С; C°_p 92 Дж/(моль.К); DH⁰_пл 84 кДж/моль, DH⁰_возг 272 кДж/моль, DH⁰_обр — 926 кДж/моль; S⁰₂₉₈ 108 Дж/(моль.К); ур-ние температурной зависимости давления пара: lgр(в гПа) = 16,478 - 27791/Т. Полупроводник n-типа, ширина запрещенной зоны 0,5 эВ (300 К). Диамагнитен. Электрич. проводимость зависит от давления О₂; при ~ 10 Па наблюдается обратимый переход к металлич. проводимости. In₂О₃ не раств. в воде. При нагр. легко взаимод. с минер. к-тами, при 300-500°С - с галогенами. При 700-800°С восстанавливается Н₂ и С до металла. С аммиаком при 600-630 °С образует InN, при спекании с оксидами и карбонатами металлов - индаты, напр. NaInO₂. Получают In₂О₃ прокаливанием нитрата или гидроксида In, в виде пленок распылением индия в присут. О₂, термич. разложением паров ацетилацетоната In и др. In₂О₃ основа прозрачных электропроводящих пленок (обычно легированных SnO₂) на стекле, слюде, лавсане и др. материалах, используемых для изготовления жидкокристаллич. дисплеев, электродов фотопроводящих элементов, высокотемпературных топливных элементов, резисторов и др., в смеси с AgO материал электрич. контактов в радиотехнике и электронике; компонент шихты спец. стекол, поглощающих тепловые нейтроны; перспективный полупроводниковый материал. Гемиоксид In₂О - черное твердое в-во; т. пл. ~325°С; плотн. 6,99 г/см³; для газа DH⁰_обр — 55 кДж/моль. Легко окисляется; с к-тами реагирует с выделением Н₂. М. б. получен (в смеси с In и In₂О₃) термич. разложением In₂(С₂О₄)₃. Пары In₂О образуются при нагр. смеси In с In₂О₃, ур-ние температурной зависимости давления пара: lgp (в гПа) = 10,58 - 13150/T. Соответствующий In₂О₃ гидроксид In(ОН)₃ - бесцв. кристаллы с кубич. решеткой; плотн. 4,33 г/см³. Свежеосажденный гидроксид легко взаимод. с разб. минеральными и нек-рыми орг. к-тами. С разб. р-рами щелочей, а также с аммиаком не реагирует. С конц. р-рами щелочей образует индаты. Выше 200 °С разлагается до In₂О₃. Получают действием NH₃ на р-ры In(NO₃)₃, подкисленные уксусной к-той. Используют для получения In₂О₃ и др. соединений In. Лит. см. при ст. Индий . П. И. Федоров.